CTI論壇(ctiforum)1月27日消息（記者李文杰):華為在近日的歐洲商業(yè)驅動數據中心大會上，宣布啟動服務器領域NVMeSSD“閃存風暴”行動，實現“同等容量、性能翻倍、節(jié)能40%”。該行動旨在服務器產品使用華為ES3000V3NVMePCIeSSD同等容量替代SATASSD，業(yè)務性能提升2倍以上，硬盤能耗節(jié)省40%。華為希望通過本項行動，幫助客戶大幅提升業(yè)務性能，降低系統(tǒng)TCO。

　　在此次歐洲商業(yè)驅動數據中心大會上，華為企業(yè)BGCTO梁永健發(fā)表主題為“EmpoweringYourInfrastructure，EnrichingYourServices”的演講。他指出，豐富人們的生活與應用，需要IT基礎設施更加敏捷、高效；同時宣布開啟NVMeSSD“閃存風暴”，采用華為ES3000V3NVMePCIeSSD掀起服務器硬盤的創(chuàng)新變革。

　　眾所周知，服務器發(fā)展至今，硬盤一直是阻礙業(yè)務性能大幅提升的關鍵部件�，F在有服務器使用SATASSD固態(tài)盤來替代傳統(tǒng)機械硬盤，雖然業(yè)務性能有較明顯的提升，但還是無法充分使用系統(tǒng)的CPU、內存等資源。這時，我們就需要一種比SATASSD盤性能更強大的存儲設備來充分使用系統(tǒng)資源，將業(yè)務性能再次提升。

　　華為作為PCIeSSD技術的開拓者，早在2005年就開始研發(fā)PCIeSSD，2007年發(fā)布業(yè)界首款產品——ES2000PCIeSSD，幫助互聯網公司大幅提升搜索、Web接入、數據庫等業(yè)務性能。

　　華為第六代產品——ES3000V3NVMePCIeSSD，提供2.5寸盤形態(tài)，最大容量3.2TB，采用華為1812ASICSSD控制器和業(yè)界最新工藝的NANDFlash顆粒，結合華為創(chuàng)新的NVMControl算法技術，提供高達80萬IOPS性能，相當于10多塊SATASSD。

　　通過在SSD控制器、Flash芯片領域合作創(chuàng)新，2015年9月HCC上，華為在存儲領域首推SSD等容量替換傳統(tǒng)磁盤行動，降低閃存在數據中心的應用門檻，“讓數據庫快9倍”。

　　華為本次發(fā)布的服務器領域“NVMeSSD替換SATASSD”行動和去年9月HCC發(fā)布的存儲領域“SSD等容量替換傳統(tǒng)磁盤”行動共同組成“IT閃存風暴”，都是為了幫助客戶對IT基礎設施性能進行加速，支持客戶業(yè)務持續(xù)創(chuàng)新。