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華為宣布啟動NVMeSSD“閃存風暴”行動

2016-01-27 14:51:28   作者:   來源:CTI論壇   評論:0  點擊cti:


  CTI論壇(ctiforum)1月27日消息(記者李文杰):華為在近日的歐洲商業(yè)驅(qū)動數(shù)據(jù)中心大會上,宣布啟動服務器領域NVMeSSD“閃存風暴”行動,實現(xiàn)“同等容量、性能翻倍、節(jié)能40%”。該行動旨在服務器產(chǎn)品使用華為ES3000V3NVMePCIeSSD同等容量替代SATASSD,業(yè)務性能提升2倍以上,硬盤能耗節(jié)省40%。華為希望通過本項行動,幫助客戶大幅提升業(yè)務性能,降低系統(tǒng)TCO。
  在此次歐洲商業(yè)驅(qū)動數(shù)據(jù)中心大會上,華為企業(yè)BGCTO梁永健發(fā)表主題為“EmpoweringYourInfrastructure,EnrichingYourServices”的演講。他指出,豐富人們的生活與應用,需要IT基礎設施更加敏捷、高效;同時宣布開啟NVMeSSD“閃存風暴”,采用華為ES3000V3NVMePCIeSSD掀起服務器硬盤的創(chuàng)新變革。
  眾所周知,服務器發(fā)展至今,硬盤一直是阻礙業(yè)務性能大幅提升的關鍵部件。現(xiàn)在有服務器使用SATASSD固態(tài)盤來替代傳統(tǒng)機械硬盤,雖然業(yè)務性能有較明顯的提升,但還是無法充分使用系統(tǒng)的CPU、內(nèi)存等資源。這時,我們就需要一種比SATASSD盤性能更強大的存儲設備來充分使用系統(tǒng)資源,將業(yè)務性能再次提升。
  華為作為PCIeSSD技術的開拓者,早在2005年就開始研發(fā)PCIeSSD,2007年發(fā)布業(yè)界首款產(chǎn)品——ES2000PCIeSSD,幫助互聯(lián)網(wǎng)公司大幅提升搜索、Web接入、數(shù)據(jù)庫等業(yè)務性能。
  華為第六代產(chǎn)品——ES3000V3NVMePCIeSSD,提供2.5寸盤形態(tài),最大容量3.2TB,采用華為1812ASICSSD控制器和業(yè)界最新工藝的NANDFlash顆粒,結(jié)合華為創(chuàng)新的NVMControl算法技術,提供高達80萬IOPS性能,相當于10多塊SATASSD。
  通過在SSD控制器、Flash芯片領域合作創(chuàng)新,2015年9月HCC上,華為在存儲領域首推SSD等容量替換傳統(tǒng)磁盤行動,降低閃存在數(shù)據(jù)中心的應用門檻,“讓數(shù)據(jù)庫快9倍”。
  華為本次發(fā)布的服務器領域“NVMeSSD替換SATASSD”行動和去年9月HCC發(fā)布的存儲領域“SSD等容量替換傳統(tǒng)磁盤”行動共同組成“IT閃存風暴”,都是為了幫助客戶對IT基礎設施性能進行加速,支持客戶業(yè)務持續(xù)創(chuàng)新。

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