三星表示， Grandis將并入三星研發(fā)部門(mén)，專(zhuān)注于下一代存儲(chǔ)技術(shù)的開(kāi)發(fā)，評(píng)估新半導(dǎo)體材料和結(jié)構(gòu)的長(zhǎng)期商用價(jià)值。三星稱(chēng)Grandis將為其存儲(chǔ)技術(shù)研發(fā)做出貢獻(xiàn)，并將成為三星全球研發(fā)網(wǎng)絡(luò)的關(guān)鍵部分。
Grandis成立于2002年，主要開(kāi)發(fā)SST-RAM(自旋轉(zhuǎn)移力矩隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)存儲(chǔ)芯片技術(shù)，該技術(shù)據(jù)稱(chēng)融合了DRAM的成本優(yōu)勢(shì)、SRAM的快速讀取性能以及閃存的不易揮發(fā)性。
2010年6月，Grandis升級(jí)其產(chǎn)品路線圖，計(jì)劃以其下一代MRAM芯片取代DRAM，并最終取代NAND閃存。SST-RAM為第二代MRAM技術(shù)，它可以解決部分由傳統(tǒng)MRAM結(jié)構(gòu)引起的問(wèn)題。
多年來(lái)，MRAM和下一代存儲(chǔ)技術(shù)開(kāi)發(fā)者一直表示，其開(kāi)發(fā)的技術(shù)將最終取代目前的存儲(chǔ)技術(shù)，但是直到現(xiàn)在，DRAM和NAND仍舊是主流存儲(chǔ)技術(shù)，尚未被取代。
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