韓國媒體消息稱，三星計(jì)劃于2024年量產(chǎn)超過300層的第9代3D NAND。預(yù)計(jì)將采用雙堆疊技術(shù)生產(chǎn)，其中包括在兩個(gè)獨(dú)立過程中創(chuàng)建NAND存儲(chǔ)器，然后將它們組裝在一起。2020年，三星從第7代176層3D NAND芯片開始首次采用雙堆疊技術(shù)。
近日，SK海力士宣布計(jì)劃于2025年開始量產(chǎn)321層3D NAND，這讓三星和許多業(yè)內(nèi)專家都感到驚訝。SK海力士與三星戰(zhàn)略的不同之處在于，它將采用三重堆疊技術(shù)，涉及生產(chǎn)三組獨(dú)立的3D NAND層，每組分別堆疊為120層、110層和91層，然后組合成一個(gè)芯片。
在去年10月份舉辦的“三星技術(shù)日2022”上，三星公布了到2030年實(shí)現(xiàn)堆疊多達(dá)1000層的愿景。當(dāng)時(shí)，業(yè)內(nèi)專家猜測(cè)，在第9代3D NAND之后，三星可能會(huì)在第10代430層產(chǎn)品中采用三重堆疊技術(shù)。
韓國業(yè)內(nèi)人士一致認(rèn)為，如果不采用三重堆疊工藝，3D NAND要實(shí)現(xiàn)超過400層的堆疊將是一個(gè)挑戰(zhàn)。然而，三重堆疊技術(shù)和雙堆疊技術(shù)在成本和效率方面仍然存在顯著差異。顯然，使用雙堆疊工藝在原材料和生產(chǎn)成本方面具有優(yōu)勢(shì)。
據(jù)報(bào)道，三星內(nèi)部已準(zhǔn)備好技術(shù)路線圖，表明其第10代3D NAND將采用三重堆疊工藝。另據(jù)報(bào)道，該公司正在與東京電子(TEL)等半導(dǎo)體設(shè)備合作伙伴密切合作，以增強(qiáng)成本競(jìng)爭力。
業(yè)內(nèi)人士指出，存儲(chǔ)業(yè)務(wù)嚴(yán)重下滑后，三星的危機(jī)感更加強(qiáng)烈，其最新的3D NAND部署策略可以被視為迎接2024年存儲(chǔ)市場(chǎng)復(fù)蘇的關(guān)鍵一步。
