7 月 11 日，Hi Investment & Securities 研究員樸相佑在一份報告中表示：“三星電子近期成功地提高了 4nm 工藝的成品率”，并提高了“高通和英偉達再次合作的可能性”。
此前，三星電子代工廠曾經(jīng)歷過產(chǎn)品上市延遲以及 10nm 以下工藝良率提升緩慢的情況，導致主要客戶紛紛轉向臺積電。結果，去年臺積電的資本支出和產(chǎn)能分別是三星電子代工業(yè)務的 3.4 倍和 3.3 倍。
在 7nm 以下的先進工藝方面，臺積電的市場占有率達到了 90%，這進一步拉大了兩公司之間的差距。
隨著三星電子今年 4nm 工藝成品率超過 75%、3nm 工藝成品率超過 60%，再加上臺積電漲價的影響，業(yè)界認為三星有望再次奪回被臺積電搶走的客戶，而且之前高通和英偉達等多位客戶也曾表示他們有必要將其外包生產(chǎn)進行多元化。
根據(jù)三星代工在 SFF 2023 上公布的最新工藝技術路線圖，該公司計劃在 2025 年推出 2 納米級的 SF2 工藝，2027 年推出 1.4 納米級的 SF1.4 工藝。與此同時，該公司還公布了 SF2 工藝的一些特性。
注意到，在擴大技術供應的同時，三星仍然致力于擴大其在韓國平澤和美國得州泰勒市的產(chǎn)能。
三星計劃于 2023 年下半年在其平澤 P3 線開始量產(chǎn)芯片，而泰勒市新建廠房預計將于今年年底完工，并于 2024 年下半年開始運營。三星目前的計劃是到 2027 年將其潔凈室容量比 2021 年增加 7.3 倍。
