據臺灣經濟日報，Intel 20A、Intel 18A 已經流片（設計定案）。這是該公司近期給出最新的 2 納米以下制程技術進展，讓市場更關注其與臺積電之間的制程技術競爭。

　　英特爾高級副總裁暨中國區(qū)董事長王銳近日表示，“半導體行業(yè)每一個巨大的下跌都會復蘇，我們對 IDM2.0 的戰(zhàn)略深信不疑，它最大的挑戰(zhàn)是我們內部的執(zhí)行力。沒有人喜歡（2022 年）Q4 英特爾的財報，我們也不可能不做調整。”

　　目前圍繞著 IDM2.0 戰(zhàn)略，英特爾欲從三方面進行突圍。首先是發(fā)展代工業(yè)務，英特爾按照 4 年 5 個節(jié)點，計劃在 2025 年重新取得制程技術的領先地位，并且通過“系統(tǒng)級代工”建立晶圓廠的差異化。

　　參考此前大量報道，英特爾近幾年制程技術規(guī)劃從 Intel 10 逐漸邁入到 Intel 7、Intel 4 制程，接下來要還要向著 Intel 3、Intel 20A、Intel 18A 制程不斷發(fā)展。

　　據王銳介紹，Intel 7 已經大規(guī)模量產，Intel 4 將于今年下半年上場，將用于酷睿處理器（Meter Lake），Intel 3 正在按計劃推進，Intel 20A（2 納米）、Intel 18A（1.8 納米）的測試芯片已經流片。

　　值得一提的是，先前市場還曾傳出英特爾 3nm 制程技術開發(fā)延遲的消息，不過后來遭英特爾 CEO 基辛格否認。他強調相關計劃都在按預期進行，迄今為止所有已經公布的 3nm 項目都將在 2024 年發(fā)布。

　　按照規(guī)劃，英特爾的 Granite Rapids 及 Sierra Forest 系列處理器均將采用自家 Intel3 制程生產。根據英特爾先前公布信息，Intel 3 可進一步汲取 FinFET 最佳化優(yōu)勢、提升 EUV 使用比例，并帶來更多改進。與 Intel 4 制程相較，Intel3 大約可提供 18％的每瓦效能提升，預計從今年下半年逐漸開始生產。

　　王銳也強調，英特爾非常堅信，到 2025 年時，能夠重新回到領先地位。